Ferroelectric-gate field effect transistor memories : device physics and applications

Ferroelectric-gate field effect transistor memories : device physics and applications
افزودن به بوکمارک اشتراک گذاری 0 دیدگاه کاربران 5 (0)

مشارکت: عنوان و توضیح کوتاه هر کتاب را ترجمه کنید این ترجمه بعد از تایید با نام شما در سایت نمایش داده خواهد شد.
iran گزارش تخلف

فرمت کتاب

print book

زبان

english

تاریخ انتشار

2020

نویسنده

Byung-Eun

شابک

9789811512117

کتاب های مرتبط

  • اطلاعات
  • دیدگاه کاربران
برای مطالعه توضیحات وارد حساب کاربری خود شوید

دیدگاه کاربران

دیدگاه خود را بنویسید
|