ورود به حساب کاربری

خرید کتاب Strain Induced Effects In Advanced Mosfe Ts (Computational Microelectronics)

اعمال کد تخفیف
مبلغ قابل پرداخت 20,000 تومان
لغو
این بخش در حال توسعه می باشد و به زودی در دسترس شما عزیزان قرار میگیرد
بستن
کاربر محترم لینک های دانلود حداکثر تا ۳ ساعت دیگر به شماره شما پیامک می شود
از صبر و شکیبایی شما ممنونیم
بستن
Strain Induced Effects In Advanced Mosfe Ts (Computational Microelectronics)

Strain Induced Effects In Advanced Mosfe Ts (Computational Microelectronics)

Strain Induced Effects In Advanced Mosfe Ts (Computational Microelectronics)
افزودن به بوکمارک اشتراک گذاری 0 دیدگاه کاربران 5 (0)

مشارکت: عنوان و توضیح کوتاه هر کتاب را ترجمه کنید این ترجمه بعد از تایید با نام شما در سایت نمایش داده خواهد شد.
ترجمه این کتاب مشاهده همه کتاب های ترجمه نشده
Strain Induced Effects In Advanced Mosfe Ts (Computational Microelectronics)
از خودتان درباره کتاب توضیح کوتاهی بنویسید
Strain is used to boost performance of MOSFETs. Modeling of strain effects on transport is an important task of modern simulation tools required for device design. The book covers all relevant modeling approaches used to describe strain in silicon. The subband structure in stressed semiconductor films is investigated in devices using analytical k.p and numerical pseudopotential methods. A rigorous overview of transport modeling in strained devices is given.
لغو
iran گزارش تخلف

گزارش تخلف

بستن

فرمت کتاب

ebook

زبان

english

تاریخ انتشار

2010

نویسنده

Viktor Sverdlov

ناشر

Springer

شابک

9783709103814
20,000 تومان
خرید کتاب مطالعه نمونه درخواست ترجمه کتاب

کتاب های مرتبط

The non-equilibrium green's function method for nanoscale device simulation

The non-equilibrium green's function method for nanoscale device simulation

Mahdi
20
هزار تومان
The Non-Equilibrium Green's Function Method for Nanoscale Device Simulation

The Non-Equilibrium Green's Function Method for Nanoscale Device Simulation

Mahdi Pourfath
20
هزار تومان
Strain Induced Effects In Advanced Mosfe Ts (Computational Microelectronics)

Strain Induced Effects In Advanced Mosfe Ts (Computational Microelectronics)

Viktor Sver...
20
هزار تومان
Deterministic Solvers for the Boltzmann Transport Equation

Deterministic Solvers for the Boltzmann Transport Equation

Tuan Pham
20
هزار تومان
The Monte Carlo Method for Semiconductor Device Simulation

The Monte Carlo Method for Semiconductor Device Simulation

Carlo Jacoboni
20
هزار تومان
Compact Transistor Modelling for Circuit Design

Compact Transistor Modelling for Circuit Design

H. C. De Gr...
20
هزار تومان
Strain-Induced Effects in Advanced Mosfets

Strain-Induced Effects in Advanced Mosfets

Viktor Sver...
20
هزار تومان
The Monte Carlo Method for Semiconductor Device Simulation

The Monte Carlo Method for Semiconductor Device Simulation

Carlo Jacob...
20
هزار تومان
Design of concrete structures using high-strength steel reinforcement

Design of concrete structures using high-strength steel reinforcement

Bahram M Sh...
20
هزار تومان
Theory of elastic stability

Theory of elastic stability

Stepan
20
هزار تومان
Robust Speckle Metrology : Techniques for Stress Analysis and NDT

Robust Speckle Metrology : Techniques for Stress Analysis and NDT

Matias R Vi...
20
هزار تومان
Stress Field of the Earth's Crust [With DVD ROM]

Stress Field of the Earth's Crust [With DVD ROM]

Ove Stephan...
20
هزار تومان
Nanomechanical analysis of high performance materials

Nanomechanical analysis of high performance materials

Atul Tiwari
20
هزار تومان
Die biegung kreissymmetrischer platten von veränderlicher dicke

Die biegung kreissymmetrischer platten von veränderlicher dicke

Otto
20
هزار تومان
Versuche über die Widerstandsfähigkeit ebener Platten

Versuche über die Widerstandsfähigkeit ebener Platten

Carl Bach
20
هزار تومان
Spannung und Spannungstensor.

Spannung und Spannungstensor.

Hermann Sch...
20
هزار تومان
Versuche an kombiniert beanspruchten Mauerwerkswänden

Versuche an kombiniert beanspruchten Mauerwerkswänden

Nebojs̆a M...
20
هزار تومان
Constitutive relation in high/very high strain rates : IUTAM Symposium, Noda, Japan, October 16-19, 1995

Constitutive relation in high/very high strain rates : IUTAM Symposium, Noda, Japan, October 16-19, 1995

Kōzō Ka...
20
هزار تومان
Stress in Asme Pressure Vessels, Boilers, and Nuclear Components

Stress in Asme Pressure Vessels, Boilers, and Nuclear Components

Maan H Jawad
20
هزار تومان
Experimental Stress Analysis

Experimental Stress Analysis

U.C. Jindal
20
هزار تومان
Structural and Stress Analysis

Structural and Stress Analysis

T.H.G. Megson
20
هزار تومان
  • اطلاعات
  • دیدگاه کاربران
برای مطالعه توضیحات وارد حساب کاربری خود شوید

دیدگاه کاربران

دیدگاه خود را بنویسید
|
افزایش درآمد افزایش درآمد بهترین های کودک و نوجوان بهترین های کودک و نوجوان میخوای آموزش ببینی میخوای آموزش ببینی
قوانین و مقررات

بوکم با هدف خدمات محتوایی به پژوهشگران، اساتید و دانشجویان راه اندازی شده است. ما را در ارائه خدمات بهتر یاری داده و به گسترش بوکم کمک نمایید.

قوانین استفاده از بوکم:
1- کاربران موظف به استفاده ضحیح از محتوای رایگان و یا قابل خریداری سایت هستند و این استفاده باید در دایره ی قوانین حاکم در جمهوری اسلامی ایران باشد.
2- بوکم در دایره ی قوانین جمهوری اسلامی ایران فعالیت دارد و از قوانین مالکیت فکری و کپی رایت طبق قواعد جمهوری اسلامی ایران فعالیت میکند. چنانچه در این مورد سهوا اشتباهی انجام شده لطفا اطلاع بدهید تا سریعا پیگیری شود.
3- به خاطر تغییراتی که در فروشگاه های مرجعی که بوکم از آنها کتاب تهیه میکند پیش می آید، ممکن است کتاب خریداری شده ی کاربر قابل تهیه کردن نباشد که در این صورت بوکم مبلغ پرداختی کاربر را به حساب او عودت داده و یا کیف پول او نزد بوکم را شارژ می نماید.
4- بیشتر از کتابهای درخواستی به صورت آنی در اختیار خریدار قرار میگیرد. مواردی که آنی قابل ارسال نیست حداکثر در سه ساعت در زمان کاری تهیه شده و به کاربر اطلاع داده شده و لینک دانلود برای او ارسال میشود.
5- کاربران موظف به حفظ محتوای خریداری شده توسط خودشان هستند و بوکم تعهد نگهداری یک ماه از کتاب خریداری شده توسط کاربر را دارد.
6- کاربرانی که در تامین محتوا و همکاری در فروش با بوکم همکاری دارند بایست طبق قوانین جمهوری اسلامی ایران اقدام به فروش در پلتفرم بوکم نمایند و پاسخگوی مراجع ذی صلاح درباره محتوای فروشی خود در بستر بوکم را به عهده دارند.
7- فایل فروخته شده با ارائه دلیل منطقی(مثل کیفیت نامناسب کتاب برای خوانش) تا 24 ساعت از سوی کاربر قابل عودت می باشد.

پذیرفتن