ورود به حساب کاربری

خرید کتاب Vibrational Properties of Defective Oxides and 2D Nanolattices

اعمال کد تخفیف
مبلغ قابل پرداخت 20,000 تومان
لغو
این بخش در حال توسعه می باشد و به زودی در دسترس شما عزیزان قرار میگیرد
بستن
کاربر محترم لینک های دانلود حداکثر تا ۳ ساعت دیگر به شماره شما پیامک می شود
از صبر و شکیبایی شما ممنونیم
بستن
برای خرید و دانلود فایل باید وارد شوید
ثبت نام / ورود بستن
Vibrational Properties of Defective Oxides and 2D Nanolattices

Vibrational Properties of Defective Oxides and 2D Nanolattices

Vibrational Properties of Defective Oxides and 2D Nanolattices
افزودن به بوکمارک اشتراک گذاری 0 دیدگاه کاربران 5 (0)

Insights from First-Principles Simulations

مشارکت: عنوان و توضیح کوتاه هر کتاب را ترجمه کنید این ترجمه بعد از تایید با نام شما در سایت نمایش داده خواهد شد.
ترجمه این کتاب مشاهده همه کتاب های ترجمه نشده
Vibrational Properties of Defective Oxides and 2D Nanolattices
Insights from First-Principles Simulations
Ge and III V compounds, semiconductors with high carrier mobilities, are candidates to replace Si as the channel in MOS devices. 2D materials like graphene and MoS_2 are also envisioned to replace Si in the future.

This thesis is devoted to the first-principles modeling of the vibrational properties of these novel channel materials.

The first part of the thesis focuses on the vibrational properties of various oxides on Ge, making it possible to identify the vibrational signature of specific defects which could hamper the proper functioning of MOSFETs.

The second part of the thesis reports on the electronic and vibrational properties of novel 2D materials like silicene and germanene, the Si and Ge 2D counterparts of graphene. The interaction of these 2D materials with metallic and non-metallic substrates is investigated. It was predicted, for the first time, and later experimentally confirmed, that silicene could be grown on a non-metallic template like MoS_2, a breakthrough that could open the door to the possible use of silicene in future nanoelectronic devices.

"
لغو
iran گزارش تخلف

گزارش تخلف

بستن

فرمت کتاب

ebook

زبان

english

تاریخ انتشار

2014

نویسنده

Emilio Scalise

ناشر

Springer

شابک

9783319071817
20,000 تومان
خرید کتاب مطالعه نمونه درخواست ترجمه کتاب

کتاب های مرتبط

Variation-Aware Advanced CMOS Devices and SRAM

Variation-Aware Advanced CMOS Devices and SRAM

بدون نویسنده
20
هزار تومان
CMOS Circuits for Piezoelectric Energy Harvesters: Efficient Power Extraction, Interface Modeling and Loss Analysis

CMOS Circuits for Piezoelectric Energy Harvesters: Efficient Power Extraction, Interface Modeling and Loss Analysis

بدون نویسنده
20
هزار تومان
Physics of Semiconductor Devices

Physics of Semiconductor Devices

Massimo Rudan
20
هزار تومان
Costas Loops : Theory, Design, and Simulation

Costas Loops : Theory, Design, and Simulation

Roland Best
20
هزار تومان
EMI-Resilient Amplifier Circuits

EMI-Resilient Amplifier Circuits

Andre C. Li...
20
هزار تومان
Vibrational Properties of Defective Oxides and 2D Nanolattices

Vibrational Properties of Defective Oxides and 2D Nanolattices

Emilio Scalise
20
هزار تومان
Nonlinear Dynamics of Electronic Systems

Nonlinear Dynamics of Electronic Systems

Plamen Ch. ...
20
هزار تومان
Electric-Field Control of Magnetization and Electronic Transport in Ferromagnetic/Ferroelectric Heterostructures

Electric-Field Control of Magnetization and Electronic Transport in Ferromagnetic/Ferroelectric Heterostructures

Sen Zhang
20
هزار تومان
Smart Sensors for Health and Environment Monitoring

Smart Sensors for Health and Environment Monitoring

Chong-Min K...
20
هزار تومان
Materials and Reliability Handbook for Semiconductor Optical and Electron Devices

Materials and Reliability Handbook for Semiconductor Optical and Electron Devices

Osamu Ueda;...
20
هزار تومان
Memristor emulator circuits

Memristor emulator circuits

Abdullah G ...
20
هزار تومان
Electronic Circuit Design and Application

Electronic Circuit Design and Application

بدون نویسنده
20
هزار تومان
Cmos-compatible key engineering devices for high -speed silicon-based optical interconnections.

Cmos-compatible key engineering devices for high -speed silicon-based optical interconnections.

JING WANG
20
هزار تومان
Electric-double-layer coupled oxide-based neuromorphic transistors studies.

Electric-double-layer coupled oxide-based neuromorphic transistors studies.

CHANGJIN WAN
20
هزار تومان
Electric-Field Control of Magnetization and Electronic Transport in Ferromagnetic/Ferroelectric Heterostructures

Electric-Field Control of Magnetization and Electronic Transport in Ferromagnetic/Ferroelectric Heterostructures

Sen Zhang
20
هزار تومان
Electronic Experiences in a Virtual Lab

Electronic Experiences in a Virtual Lab

Giovanni Ca...
20
هزار تومان
Transients for Electrical Engineers

Transients for Electrical Engineers

Paul J. Nahin
20
هزار تومان
Frontier computing : theory, technologies and applications (FC 2017)

Frontier computing : theory, technologies and applications (FC 2017)

Jason C Hun...
20
هزار تومان
Analytical Modelling of Breakdown Effect in Graphene Nanoribbon Field Effect Transistor

Analytical Modelling of Breakdown Effect in Graphene Nanoribbon Field Effect Transistor

Mahdiar Gha...
20
هزار تومان
Electromagnetic Vibration Energy Harvesting Devices

Electromagnetic Vibration Energy Harvesting Devices

Yiannos Manoli
20
هزار تومان
Electromagnetic vibration energy harvesting devices : architectures, design, modeling and optimization

Electromagnetic vibration energy harvesting devices : architectures, design, modeling and optimization

Dirk Spreem...
20
هزار تومان
  • اطلاعات
  • دیدگاه کاربران
برای مطالعه توضیحات وارد حساب کاربری خود شوید

دیدگاه کاربران

دیدگاه خود را بنویسید
|
افزایش درآمد افزایش درآمد بهترین های کودک و نوجوان بهترین های کودک و نوجوان میخوای آموزش ببینی میخوای آموزش ببینی
قوانین و مقررات

بوکم با هدف خدمات محتوایی به پژوهشگران، اساتید و دانشجویان راه اندازی شده است. ما را در ارائه خدمات بهتر یاری داده و به گسترش بوکم کمک نمایید.

قوانین استفاده از بوکم:
1- کاربران موظف به استفاده ضحیح از محتوای رایگان و یا قابل خریداری سایت هستند و این استفاده باید در دایره ی قوانین حاکم در جمهوری اسلامی ایران باشد.
2- بوکم در دایره ی قوانین جمهوری اسلامی ایران فعالیت دارد و از قوانین مالکیت فکری و کپی رایت طبق قواعد جمهوری اسلامی ایران فعالیت میکند. چنانچه در این مورد سهوا اشتباهی انجام شده لطفا اطلاع بدهید تا سریعا پیگیری شود.
3- به خاطر تغییراتی که در فروشگاه های مرجعی که بوکم از آنها کتاب تهیه میکند پیش می آید، ممکن است کتاب خریداری شده ی کاربر قابل تهیه کردن نباشد که در این صورت بوکم مبلغ پرداختی کاربر را به حساب او عودت داده و یا کیف پول او نزد بوکم را شارژ می نماید.
4- بیشتر از کتابهای درخواستی به صورت آنی در اختیار خریدار قرار میگیرد. مواردی که آنی قابل ارسال نیست حداکثر در سه ساعت در زمان کاری تهیه شده و به کاربر اطلاع داده شده و لینک دانلود برای او ارسال میشود.
5- کاربران موظف به حفظ محتوای خریداری شده توسط خودشان هستند و بوکم تعهد نگهداری یک ماه از کتاب خریداری شده توسط کاربر را دارد.
6- کاربرانی که در تامین محتوا و همکاری در فروش با بوکم همکاری دارند بایست طبق قوانین جمهوری اسلامی ایران اقدام به فروش در پلتفرم بوکم نمایند و پاسخگوی مراجع ذی صلاح درباره محتوای فروشی خود در بستر بوکم را به عهده دارند.
7- فایل فروخته شده با ارائه دلیل منطقی(مثل کیفیت نامناسب کتاب برای خوانش) تا 24 ساعت از سوی کاربر قابل عودت می باشد.

پذیرفتن