Metal Gate Electrode and High-Dielectrics For Sub-32Nm Bulk Cmos Technology integrating Lanthanum Oxide Capping Layer For Low Threshold-Voltage Devices Application

Metal Gate Electrode and High-Dielectrics For Sub-32Nm Bulk Cmos Technology integrating Lanthanum Oxide Capping Layer For Low Threshold-Voltage Devices Application
افزودن به بوکمارک اشتراک گذاری 0 دیدگاه کاربران 5 (0)

مشارکت: عنوان و توضیح کوتاه هر کتاب را ترجمه کنید این ترجمه بعد از تایید با نام شما در سایت نمایش داده خواهد شد.
iran گزارش تخلف

فرمت کتاب

ebook

زبان

english

تاریخ انتشار

2010

نویسنده

HongYu Yu

شابک

9789533070452

کتاب های مرتبط

  • اطلاعات
  • دیدگاه کاربران
برای مطالعه توضیحات وارد حساب کاربری خود شوید

دیدگاه کاربران

دیدگاه خود را بنویسید
|