ورود به حساب کاربری

خرید کتاب Advanced Model Parameter Extraction of Transistors

اعمال کد تخفیف
مبلغ قابل پرداخت 20,000 تومان
لغو
این بخش در حال توسعه می باشد و به زودی در دسترس شما عزیزان قرار میگیرد
بستن
کاربر محترم لینک های دانلود حداکثر تا ۳ ساعت دیگر به شماره شما پیامک می شود
از صبر و شکیبایی شما ممنونیم
بستن
برای خرید و دانلود فایل باید وارد شوید
ثبت نام / ورود بستن
Advanced Model Parameter Extraction of Transistors

Advanced Model Parameter Extraction of Transistors

Advanced Model Parameter Extraction of Transistors
افزودن به بوکمارک اشتراک گذاری 0 دیدگاه کاربران 5 (0)

Strategies for Reliable and Accurate Device Modeling

مشارکت: عنوان و توضیح کوتاه هر کتاب را ترجمه کنید این ترجمه بعد از تایید با نام شما در سایت نمایش داده خواهد شد.
ترجمه این کتاب مشاهده همه کتاب های ترجمه نشده
Advanced Model Parameter Extraction of Transistors
Strategies for Reliable and Accurate Device Modeling
All model parameters are fundamentally coupled together, so that directly measured individual parameters, although widely used and accepted, may initially only serve as good estimates. This comprehensive resource presents all aspects concerning the modeling of semiconductor field-effect device parameters based on gallium-arsenide (GaAs) and generative adversarial network (GaN) technology. Metal-semiconductor field-effect transistors (MESFETs), high electron mobility transistors (HEMTs) and heterojunction bipolar transistors (HBTs), their structures and functions, and existing transistor models are also classified. The Shockley model is presented in order to give insight into semiconductor field-effect transistor (FET) device physics and explain the relationship between geometric and material parameters and device performance. Extraction of trapping and thermal time constants is discussed. A special section is devoted to standard nonlinear FET models applied to large-signal measurements, including static-/pulsed-DC and single-/two-tone stimulation. High power measurement setups for signal waveform measurement, wideband source-/load-pull measurement (including envelope source-/load pull) are also included, along with high-power intermodulation distortion (IMD) measurement setup (including envelope load-pull). Written by a world-renowned expert in the field, this book is the first to cover of all aspects of semiconductor FET device modeling in a single volume.
لغو
iran گزارش تخلف

گزارش تخلف

بستن

فرمت کتاب

ebook

زبان

english

تاریخ انتشار

2019

نویسنده

Gunter Kompa

نویسنده

Gunter Kompa

ناشر

Artech House Publishers

ناشر

Artech House Publishers

شابک

9781630817442
20,000 تومان
خرید کتاب مطالعه نمونه درخواست ترجمه کتاب
  • اطلاعات
  • دیدگاه کاربران
برای مطالعه توضیحات وارد حساب کاربری خود شوید

دیدگاه کاربران

دیدگاه خود را بنویسید
|
افزایش درآمد افزایش درآمد بهترین های کودک و نوجوان بهترین های کودک و نوجوان میخوای آموزش ببینی میخوای آموزش ببینی
قوانین و مقررات

بوکم با هدف خدمات محتوایی به پژوهشگران، اساتید و دانشجویان راه اندازی شده است. ما را در ارائه خدمات بهتر یاری داده و به گسترش بوکم کمک نمایید.

قوانین استفاده از بوکم:
1- کاربران موظف به استفاده ضحیح از محتوای رایگان و یا قابل خریداری سایت هستند و این استفاده باید در دایره ی قوانین حاکم در جمهوری اسلامی ایران باشد.
2- بوکم در دایره ی قوانین جمهوری اسلامی ایران فعالیت دارد و از قوانین مالکیت فکری و کپی رایت طبق قواعد جمهوری اسلامی ایران فعالیت میکند. چنانچه در این مورد سهوا اشتباهی انجام شده لطفا اطلاع بدهید تا سریعا پیگیری شود.
3- به خاطر تغییراتی که در فروشگاه های مرجعی که بوکم از آنها کتاب تهیه میکند پیش می آید، ممکن است کتاب خریداری شده ی کاربر قابل تهیه کردن نباشد که در این صورت بوکم مبلغ پرداختی کاربر را به حساب او عودت داده و یا کیف پول او نزد بوکم را شارژ می نماید.
4- بیشتر از کتابهای درخواستی به صورت آنی در اختیار خریدار قرار میگیرد. مواردی که آنی قابل ارسال نیست حداکثر در سه ساعت در زمان کاری تهیه شده و به کاربر اطلاع داده شده و لینک دانلود برای او ارسال میشود.
5- کاربران موظف به حفظ محتوای خریداری شده توسط خودشان هستند و بوکم تعهد نگهداری یک ماه از کتاب خریداری شده توسط کاربر را دارد.
6- کاربرانی که در تامین محتوا و همکاری در فروش با بوکم همکاری دارند بایست طبق قوانین جمهوری اسلامی ایران اقدام به فروش در پلتفرم بوکم نمایند و پاسخگوی مراجع ذی صلاح درباره محتوای فروشی خود در بستر بوکم را به عهده دارند.
7- فایل فروخته شده با ارائه دلیل منطقی(مثل کیفیت نامناسب کتاب برای خوانش) تا 24 ساعت از سوی کاربر قابل عودت می باشد.

پذیرفتن