ورود به حساب کاربری

خرید کتاب Fundamentals of Bias Temperature Instability in MOS Transistors

اعمال کد تخفیف
مبلغ قابل پرداخت 20,000 تومان
لغو
این بخش در حال توسعه می باشد و به زودی در دسترس شما عزیزان قرار میگیرد
بستن
کاربر محترم لینک های دانلود حداکثر تا ۳ ساعت دیگر به شماره شما پیامک می شود
از صبر و شکیبایی شما ممنونیم
بستن
برای خرید و دانلود فایل باید وارد شوید
ثبت نام / ورود بستن
Fundamentals of Bias Temperature Instability in MOS Transistors

Fundamentals of Bias Temperature Instability in MOS Transistors

Fundamentals of Bias Temperature Instability in MOS Transistors
افزودن به بوکمارک اشتراک گذاری 0 دیدگاه کاربران 5 (0)

Characterization Methods, Process and Materials Impact, DC and AC Modeling

مشارکت: عنوان و توضیح کوتاه هر کتاب را ترجمه کنید این ترجمه بعد از تایید با نام شما در سایت نمایش داده خواهد شد.
ترجمه این کتاب مشاهده همه کتاب های ترجمه نشده
Fundamentals of Bias Temperature Instability in MOS Transistors
Characterization Methods, Process and Materials Impact, DC and AC Modeling
This book aims to cover different aspects of Bias Temperature Instability (BTI). BTI remains as an important reliability concern for CMOS transistors and circuits. Development of BTI resilient technology relies on utilizing artefact-free stress and measurement methods and suitable physics-based models for accurate determination of degradation at end-of-life and understanding the gate insulator process impact on BTI. This book discusses different ultra-fast characterization techniques for recovery artefact free BTI measurements. It also covers different direct measurements techniques to access pre-existing and newly generated gate insulator traps responsible for BTI. The book provides a consistent physical framework for NBTI and PBTI respectively for p- and n- channel MOSFETs, consisting of trap generation and trapping. A physics-based compact model is presented to estimate measured BTI degradation in planar Si MOSFETs having differently processed SiON and HKMG gate insulators, in planar SiGe MOSFETs and also in Si FinFETs. The contents also include a detailed investigation of the gate insulator process dependence of BTI in differently processed SiON and HKMG MOSFETs. The book then goes on to discuss Reaction-Diffusion (RD) model to estimate generation of new traps for DC and AC NBTI stress and Transient Trap Occupancy Model (TTOM) to estimate charge occupancy of generated traps and their contribution to BTI degradation. Finally, a comprehensive NBTI modeling framework including TTOM enabled RD model and hole trapping to predict time evolution of BTI degradation and recovery during and after DC stress for different stress and recovery biases and temperature, during consecutive arbitrary stress and recovery cycles and during AC stress at different frequency and duty cycle. The contents of this book should prove useful to academia and professionals alike.
لغو
iran گزارش تخلف

گزارش تخلف

بستن

فرمت کتاب

ebook

زبان

english

تاریخ انتشار

2015

نویسنده

Souvik Mahapatra

نویسنده

Souvik Mahapatra

ناشر

Springer

ناشر

Springer

شابک

9788132225072
20,000 تومان
خرید کتاب مطالعه نمونه درخواست ترجمه کتاب
  • اطلاعات
  • دیدگاه کاربران
برای مطالعه توضیحات وارد حساب کاربری خود شوید

دیدگاه کاربران

دیدگاه خود را بنویسید
|
افزایش درآمد افزایش درآمد بهترین های کودک و نوجوان بهترین های کودک و نوجوان میخوای آموزش ببینی میخوای آموزش ببینی
قوانین و مقررات

بوکم با هدف خدمات محتوایی به پژوهشگران، اساتید و دانشجویان راه اندازی شده است. ما را در ارائه خدمات بهتر یاری داده و به گسترش بوکم کمک نمایید.

قوانین استفاده از بوکم:
1- کاربران موظف به استفاده ضحیح از محتوای رایگان و یا قابل خریداری سایت هستند و این استفاده باید در دایره ی قوانین حاکم در جمهوری اسلامی ایران باشد.
2- بوکم در دایره ی قوانین جمهوری اسلامی ایران فعالیت دارد و از قوانین مالکیت فکری و کپی رایت طبق قواعد جمهوری اسلامی ایران فعالیت میکند. چنانچه در این مورد سهوا اشتباهی انجام شده لطفا اطلاع بدهید تا سریعا پیگیری شود.
3- به خاطر تغییراتی که در فروشگاه های مرجعی که بوکم از آنها کتاب تهیه میکند پیش می آید، ممکن است کتاب خریداری شده ی کاربر قابل تهیه کردن نباشد که در این صورت بوکم مبلغ پرداختی کاربر را به حساب او عودت داده و یا کیف پول او نزد بوکم را شارژ می نماید.
4- بیشتر از کتابهای درخواستی به صورت آنی در اختیار خریدار قرار میگیرد. مواردی که آنی قابل ارسال نیست حداکثر در سه ساعت در زمان کاری تهیه شده و به کاربر اطلاع داده شده و لینک دانلود برای او ارسال میشود.
5- کاربران موظف به حفظ محتوای خریداری شده توسط خودشان هستند و بوکم تعهد نگهداری یک ماه از کتاب خریداری شده توسط کاربر را دارد.
6- کاربرانی که در تامین محتوا و همکاری در فروش با بوکم همکاری دارند بایست طبق قوانین جمهوری اسلامی ایران اقدام به فروش در پلتفرم بوکم نمایند و پاسخگوی مراجع ذی صلاح درباره محتوای فروشی خود در بستر بوکم را به عهده دارند.
7- فایل فروخته شده با ارائه دلیل منطقی(مثل کیفیت نامناسب کتاب برای خوانش) تا 24 ساعت از سوی کاربر قابل عودت می باشد.

پذیرفتن